Am 15. und 16.09.2011 findet in Berlin die Tagung „Technologie und Anwendung von Nitrid-Halbleitern“ des Bündnisses ,Berlin WideBaSe‘ statt. Experten aus Forschung und Industrie geben Einblicke in aktuelle und zukünftige Entwicklungen rund um Halbleiter großer Bandlücke (III-Nitride).

Ziel dieser Tagung ist es, den aktuellen Stand der Forschung an ausgewählten Anwendungsfeldern zu spiegeln und mit dem Fachpublikum Möglichkeiten und Chancen in der Entwicklung und Anwendung zu diskutieren. Hierfür konnten als Referenten internationale Experten aus Forschung und Industrie gewonnen werden, die einen Einblick in ihre Forschungsschwerpunkte sowie einen Überblick über den industriellen Bedarf geben werden. Die Vorträge aus der Industrie werden sich mit den Bereichen Medizintechnik, Wasserdesinfektion, der Härtungs- und Drucktechnik sowie der Leistungselektronik in der Automobilindustrie befassen. Abgerundet wird die Tagung mit der Möglichkeit zu Kooperationsgesprächen mit Partnern von ,Berlin WideBaSe‘ sowie Führungen in den Forschungseinrichtungen.

Veranstalter ist der vom Bundesministerium für Bildung und Forschung im Rahmenprogramm “Unternehmen Region“ geförderte innovative regionale Wachstumskern ,Berlin WideBaSe‘, der aus zehn Industrie- und drei Forschungspartnern besteht. Sie bündeln das in Berlin vorhandene Know-how und die technischen Ressourcen für die Entwicklung von optoelektronischen und elektronischen Bauelementen auf Basis von Nitrid-Halbleitern sowie deren Anwendung in unterschiedlichen Feldern entlang der Wertschöpfungskette.

Kontakt
Geschäftstelle ,Berlin WideBaSe‘
Britta Sommer
Telefon +49 (0)30. 6392-3390
E-Mail britta.sommer@fbh-berlin.de

Die Geschäftsstelle von ,Berlin WideBaSe‘ ist angesiedelt am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V.